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물리전자(반도체공학)

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챕터(패키지)

강의코드

강의내용/세부내용

강의수/시간(분)

수강료(원)

수강일수

양자역학

QTM 1

양자역학 I

9/167

11,000

7일

무엇을 배우는가? 입자의 이중성, 드브로이 물질파, 파동의기초, 파동의 주기, 파수, 주파수 및 이들의 관계, 위상속도와 군속도, 캐리어의 에너지와 운동량, 캐리어의 위치에너지, 전위와 전압, 에너지의 보존과 변화, 역학적에너지 표현

QTM 2

양자역학 II

9/206

15,000

14일

수소안의 전자: 궤도반지금의 양자화, 에너지의 양자화, 에너지 그래프, 고전역학에서 파동방정식, 슈뢰딩거 파동방정식, 자유공간에서 전자의 거동, 무한포텐셜우물, 에너지의 양자화

고체양자이론

QTS 3

고체양자이론

9/206

10,000

10일

고체안의 전자상태, 유한포텐셜 우물, 인접한 유한 포텐셜우물, 에너지밴드와 금지대, E-k diagram, 에너지밴드에 의한 고체의 분류.

QTS 4

고체양자이론I I

13/235

18,500

10일

열평형과 비평형의 개념, 전자볼트, 전자와 정공, 에너지상태밀도, 전도대와 가전도대, 페르미디락분포함수와 페르미준위, 열평형에서 캐리어의 농도, 진성반도체와 외인성반도체어서 캐리어의 농도

캐리어전송현상

SCT 5

캐리어 전송현상

11/172

11,000

7일

드리프트전류밀도, 표동속도, 이동도(mobility), 확산전류밀도, 확산계수, 에너지밴드와 전기장의 관계, 열평형에서 페르미 준위, 경사불순물 분포, 아인슈타인 관계식, 응용문제

과잉캐리어 생성과 재결합

CGR 6

캐리어의 생성과 재결합

9/156

11,000

6일

캐리어의 생성과 재결합 메카니즘, 과잉캐리어의 개념과 그들의 생성/재결합, 소수과잉캐리어의 수명, 유사페르미준위, 응용문제

PN접합 다이오드

PNJ 7

PN 접합과 다이오드 I

12/204

17,500

10일

열평형상태에서 pn접합의 전기적 성질 : PN 접합의 에너지 밴드, 평형상태에서 확산전류와 드리프트전류, 공핍층, 내부전위, 포와송방정식과 전기장 및 포텐셜함수 구하기. 공핍(공간)전하 분포, 응용문제.

PNJ 8

PN 접합과 다이오드 2

8/121

10,000

7일

순방향 바이어스에서 전류, 공핍층 양 끝에서 소수 캐리어의 관계, 과잉캐리어어 농도의 표현

PNJ 9

PN 접합과 다이오드 3

10/172

11,000

7일

순방향바이어스에서 캐리어의 주입, 연속방정식의 유도 & 의미, 전류밀도의 표현, 다이오드의 IV 특성곡선

PNJ 10

PN 접합과 다이오드 4

9/125

10,000

7일

역방향바이어스에서 공핍층, 전기장, 소수캐리어농도, 전류 표현식, IV 특성공선, 유사페르미준위와 에너지밴드

금속-반도체접합

MSJ 11

금속 -반도체 접합

14/184

12,000

7일

금속-반도체 일함수와 전자친화력, 정류성접합, 쇼트키장벽, 오옴성 접합, 터넬링 접합

물리전자(반도체공학) 패키지 강의 1

MOSFET

MFT1

MOS 축전기 기초 1

6/98

12,000

5일

평행판 축전기의 기초(축전기 기능, 구조, 종류, 정전용량, 축전기의 연결, 평행판 축전기 내부의 전기장과 전압, 정전용량), idela MOS의 개념(일함수, 이상 MOS 조건)

MFT2

MOS 축전기 기초 2

8/107

15,000

7일

에너지밴드와 진공전위, (수정)일함수, (수정)전자친화력, 이상(ideal) MOS의 열평형상태에서 에너지밴드 구조 이해

MFT3

MOS 축전기 기초 3

11/190

20,000

10일

이상 n-MOS의 축적모드 동작원리.  전하량, 전위, 전기장을 포와송방정식에 근거하여 해석하고, 에너지밴드, 디바이길이(debye length)등의 설명을 쉽게 전개하였음

MFT4

MOS 축전기 기초 4

12/162

18,000

7일

이상 n-MOS의 공핍모드 동작원리.  전하량, 전위, 전기장, 정전용량과 응용문제를 다루었습니다.